是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 高边驱动器: | NO |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 4.9 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 标称输出峰值电流: | 14 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HSOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最大供电电压: | 35 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 18 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 断开时间: | 0.1 µs |
接通时间: | 0.1 µs | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXDN514SIAT/R | IXYS |
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Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 14A, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012A | |
IXDN514SIATR | IXYS |
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14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN55N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode | |
IXDN55N120AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 85A I(C) | SOT-227B | |
IXDN55N120D1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode | |
IXDN55N120D1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDN602D2TR | CLARE |
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2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN602PI | CLARE |
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2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN602SI | CLARE |
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2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN602SIA | CLARE |
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2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |