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IXDN55N120D1

更新时间： 2024-01-23 00:49:56

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
High Voltage IGBT with optional Diode

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IXDN55N120D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.23	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	450 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	570 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	Base Number Matches：	1

IXDN55N120D1 数据手册

IXDN 55N120

IXDN 55N120 D1 I_C25

V_CES

= 1200 V

= 100 A

High Voltage IGBT

with optional Diode

V_{CE(sat) typ}= 2.3 V

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

IXDN 55N120 IXDN 55N120 D1

E = Emitter ●,

G = Gate,

C = Collector

E = Emitter ●

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

● Either Emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 20 kW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

100

T_C= 90°C

T_C= 90°C, t_p= 1 ms

124

Features

RBSOA

V_GE= ±15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 30 µH

I_CM= 100

V_CEK< V_CES

●

NPT IGBT technology

low saturation voltage

low switching losses

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

easy paralleling

MOS input, voltage controlled

●

t_SC

(SCSOA)

V_GE= ±15 V, V_CE= V_CES, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

µs

●

P_C

T_C= 25°C

IGBT

450

220

Diode

●

V_ISOL

50/60 Hz; I_ISOL£ 1 mA

2500

●

optional ultra fast diode

International standard package

miniBLOC

●

T_J

-40 ... +150

°C

T_stg

Advantages

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

●

Space savings

Easy to mount with 2 screws

●

Weight

●

High power density

Symbol

Conditions

Characteristic Values

Typical Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninteruptible power supplies (UPS)

min. typ. max.

●

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

V_GE= 0 V

1200

4.5

●

I_C= 2 mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES

6.5

●

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 25°C

T_J= 125°C

3.8 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

I_C= 55 A, V_GE= 15 V

± 500 nA

V_CE(sat)

2.3

2.8

1 - 4

12 3 4

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