是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | QCCN, LCC3(UNSPEC) | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.36 |
模拟集成电路 - 其他类型: | TWO TERMINAL VOLTAGE REFERENCE | JESD-30 代码: | R-XBCC-N3 |
JESD-609代码: | e4 | 功能数量: | 1 |
输出次数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电压: | 2.505 V | 最小输出电压: | 2.495 V |
标称输出电压: | 2.5 V | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC3(UNSPEC) |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 子类别: | Voltage References |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
最大电压温度系数: | 33.333 ppm/ °C | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
总剂量: | 300k Rad(Si) V | 微调/可调输出: | YES |
最大电压容差: | 0.2% |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ISYE-1009RH/PROTO | INTERSIL |
完全替代 ![]() |
Radiation Hardened 2.5V Reference |
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5962F0052301QYC | INTERSIL |
功能相似 ![]() |
Radiation Hardened 2.5V Reference |
![]() |
5962F0052301VYC | INTERSIL |
功能相似 ![]() |
Radiation Hardened 2.5V Reference |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ISYE-1009RH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 2.5V Reference |
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ISZ019N03L5S | INFINEON |
获取价格 |
凭借 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列产品组合,英 |
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ISZ034N06LM5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 60 V 功率 MOSFETISZ034N06LM5 完全适用于开关 |
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ISZ040N03L5IS | INFINEON |
获取价格 |
凭借 OptiMOS? 和 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列产品组合,英 |
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ISZ0602NLS | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfo |
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ISZ065N03L5S | INFINEON |
获取价格 |
凭借 OptiMOS? 和 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列产品组合,英 |
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ISZ0702NLS | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfo |
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ISZ0703NLS | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfo |
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ISZ080N10NM6 | INFINEON |
获取价格 |
正常电平 ISZ080N10NM6 OptiMOS? 6 系列 100 V 器件在分立式功 |
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ISZ106N12LM6 | INFINEON |
获取价格 |
This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3. |
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