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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | HVQCCN, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 高边驱动器： | YES | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-N16 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 标称输出峰值电流： | 4 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL6610IBZ | INTERSIL |
获取价格 |
Dual Synchronous Rectified MOSFET Drivers |
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| ISL6610IBZ | RENESAS |
获取价格 |
4A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO14, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 |
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| ISL6610IBZ-T | RENESAS |
获取价格 |
4A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO14, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 |
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| ISL6610IRZ | INTERSIL |
获取价格 |
Dual Synchronous Rectified MOSFET Drivers |
|
| ISL6610IRZ-T | RENESAS |
获取价格 |
4A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PQCC16, 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-220VGGC, |
|
| ISL6611A | INTERSIL |
获取价格 |
Phase Doubler with Integrated Drivers Phase Doubler with Integrated Drivers |
|
| ISL6611A_13 | INTERSIL |
获取价格 |
Phase Doubler with Integrated Drivers and Phase Shedding Function |
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| ISL6611ACRZ | INTERSIL |
获取价格 |
Phase Doubler with Integrated Drivers Phase Doubler with Integrated Drivers |
|
| ISL6611AIRZ | INTERSIL |
获取价格 |
Phase Doubler with Integrated Drivers Phase Doubler with Integrated Drivers |
|
| ISL6612 | INTERSIL |
获取价格 |
Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
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