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IS93C56-3GRI

更新时间: 2024-02-09 05:08:07
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美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
10页 85K
描述
2,048-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

IS93C56-3GRI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91其他特性:AUTOMATIC WRITE
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.3218 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.572 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.006 mA
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

IS93C56-3GRI 数据手册

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®
IS93C56-3  
ISSI  
AC WAVEFORMS  
FIGURE 2. SYNCHRONOUS DATA TIMING  
CS  
T
tCSS  
tSKH  
tSKL  
tCSH  
SK  
tDIS  
tDIH  
DIN  
tPD0  
tPD1  
tDF  
DOUT  
(READ)  
tSV  
tDF  
DOUT  
(WRITE)  
(WRALL)  
(ERASE)  
(ERAL)  
STATUS VALID  
FIGURE 3. READ CYCLE TIMING  
t
CS  
CS  
SK  
DIN  
1
1
0
X
A6...A1 A0  
*
D0  
DOUT  
D15  
0
*
Address Pointer Cycles to the Next Register  
X is a don't care bit  
Integrated Silicon Solution, Inc. 1-800-379-4774  
Rev. G  
7
04/26/01  

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