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Datasheet > 暂无类别数据> IS62WV51216BLL-55BLI
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IS62WV51216BLL-55BLI

更新时间： 2024-11-16 03:15:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 129K
描述
512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV51216BLL-55BLI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.99Is Samacsys：N
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8.7 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00002 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：7.2 mm
Base Number Matches：1

IS62WV51216BLL-55BLI 数据手册

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®
IS62WV51216ALL  
IS62WV51216BLL  
ISSI  
512K x 16 LOW VOLTAGE,  
ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM  
FEBRUARY2005  
FEATURES  
DESCRIPTION  
TheISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLLare high-  
speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16  
bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS  
technology. This highly reliable process coupled with  
innovative circuit design techniques, yields high-  
performance and low power consumption devices.  
• High-speed access time: 45ns, 55ns  
• CMOS low power operation  
– 36 mW (typical) operating  
– 12 µW (typical) CMOS standby  
• TTL compatible interface levels  
• Single power supply  
When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW  
(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both  
LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode  
at which the power dissipation can be reduced down with  
CMOS input levels.  
– 1.65V--2.2V VDD (62WV51216ALL)  
– 2.5V--3.6V VDD (62WV51216BLL)  
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable  
and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable  
(WE) controls both writing and reading of the memory. A  
data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)  
access.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
• Three state outputs  
• Data control for upper and lower bytes  
• Industrial temperature available  
• Lead-free available  
TheIS62WV51216ALLandIS62WV51216BLLarepackaged  
in the JEDEC standard 48-pin mini BGA (7.2mm x 8.7mm)  
and 44-Pin TSOP (TYPE II).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
512K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A18  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CS2  
CS1  
OE  
CONTROL  
CIRCUIT  
WE  
UB  
LB  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability  
arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany  
publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. B  
1
02/24/05  
1234567...16

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IS62WV51216BLL-55BLI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS62WV51216BLL-55BI ISSI

完全替代

 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62WV51216BLL-55T ISSI

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