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IS62WV5128BLL-55QLI

更新时间: 2024-11-18 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
17页 286K
描述
512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62WV5128BLL-55QLI 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.83Samacsys Confidence:
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:312247
Samacsys Pin Count:32Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:OtherSamacsys Footprint Name:SOIC127P1412X300-32N
Samacsys Released Date:2017-01-11 16:55:40Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e3
长度:20.445 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.56封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最大待机电流:0.000015 A最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:11.305 mm
Base Number Matches:1

IS62WV5128BLL-55QLI 数据手册

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