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IS62WV2568BLL-70BI

更新时间： 2024-11-16 04:44:47

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	74K
描述
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV2568BLL-70BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA36,6X8,30	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B36	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA36,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV2568ALL

IS62WV2568BLL

ISSI

JUNE2005

256K x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV2568ALL / IS62WV2568BLL are high-

speed, 2M bit static RAMs organized as 256K words by 8

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected)orwhenCS1isLOW,CS2isHIGH,thedevice

assumes a standby mode at which the power dissipation

can be reduced down with CMOS input levels.

– 1.65V--2.2V V^CC(62WV2568ALL)

– 2.5V--3.6V V^CC(62WV2568BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

TheIS62WV2568ALLandIS62WV2568BLLarepackaged

in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPE I), sTSOP

(TYPE I), and 36-pin mini BGA.

• Three state outputs

• Industrial temperature available

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 8

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

06/20/05

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV2568BLL-70BI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
IS62WV2568BLL-70H	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568BLL-70HI	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568BLL-70HI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568BLL-70H-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568BLL-70T	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568BLL-70TI	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568BLL-70TI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568BLL-70T-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568DALL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels

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