5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 1 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62WV2568BLL-55TLI | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62WV2568BLL-55TLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
|
| IS62WV2568BLL-70B | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62WV2568BLL-70BI | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62WV2568BLL-70BI-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36 |
|
| IS62WV2568BLL-70H | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62WV2568BLL-70HI | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62WV2568BLL-70HI-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
|
| IS62WV2568BLL-70H-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
|
| IS62WV2568BLL-70T | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
