IS62WV12816BLL-55T

更新时间： 2024-11-08 22:51:43

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美国芯成 - ISSI		内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV12816BLL-55T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	8.55	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm

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IS62WV12816ALL

IS62WV12816BLL

ISSI

128K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

JUNE2005

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

TheISSIIS62WV12816ALL/IS62WV12816BLLare high-

speed, 2M bit static RAMs organized as 128K words by 16

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

– 9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

– 1.65V--2.2V V^DD(62WV12816ALL)

– 2.5V--3.6V V^DD(62WV12816BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

TheIS62WV12816ALLandIS62WV12816BLLarepackaged

intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and

44-Pin TSOP (TYPE II).

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. E

06/08/05

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IS62WV12816DALL	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816DBLL-45TLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
IS62WV12816EALL	ISSI	获取价格	Three state outputs
IS62WV12816EBLL	ISSI	获取价格	Three state outputs
IS62WV12816EBLL-45BLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, MINI BGA-48
IS62WV12816EBLL-45TLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP
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