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IS62LV256L-15N

更新时间: 2024-02-16 11:45:44
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 329K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

IS62LV256L-15N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.81最长访问时间:15 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:35.306 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.572 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IS62LV256L-15N 数据手册

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