Datasheet > 存储 > SRAM> IS62C1024-35T

IS62C1024-35T

更新时间： 2024-11-07 22:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
8页	70K
描述
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62C1024-35T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS62C1024-35T 数据手册

IS62C1024

ISSI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

JANUARY 2000

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62C1024 is a low power,131,072-word by

8-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSI's

high-performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design techniques,

yields higher performance and low power consumption

devices.

• High-speed access time: 35, 45, 55, 70 ns

• Low active power: 450 mW (typical)

• Low standby power: 500 µW (typical) CMOS

standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the

device assumes a standby mode at which the power

dissipation can be reduced by using CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

Easy memory expansion is provided by using two Chip

Enable inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory.

The IS62C1024 is available in 32-pin 525-mil plastic SOP

and TSOP (type 1) packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 X 2048

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. G

01/14/00

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IS62C1024-35T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62C1024-35TI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-35TI	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-35W	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-35WI	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45Q	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45Q	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45QI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45QI	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45T	ICSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45T	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

与IS62C1024-35T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS62C1024-35T

IS62C1024-35T 技术参数

IS62C1024-35T 数据手册

与IS62C1024-35T相关器件

与IS62C1024-35T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS62C1024-35T

IS62C1024-35T 技术参数

IS62C1024-35T 数据手册

与IS62C1024-35T相关器件

与IS62C1024-35T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？