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IS61WV102416FALL-20T2LI

更新时间： 2024-02-10 08:35:16

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
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19页	711K
描述
Standard SRAM, 1MX16, 20ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54

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IS61WV102416FALL-20T2LI 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.66	最长访问时间：	20 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	54	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61WV102416FALL-20T2LI 数据手册

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IS61WV102416FALL

IS61/64WV102416FBLL

54-Pin TSOP (II)

48-Pin TSOP (I)

I/O12

VDD

I/O11

VSS

I/O13

I/O14

VSS

I/O10

I/O9

VDD

I/O15

I/O8

OE#

UB#

LB#

CS#

I/O0

I/O15

I/O14

I/O1

I/O2

UB#

CS1#

VDD

WE#

CS2

I/O13

I/O12

OE#

VSS

I/O3

VSS

VDD

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

VDD

VSS

I/O4

LB#

A10

A11

A12

A13

I/O5

A19

A18

I/O6

I/O7

WE#

A17

A16

A14

I/O7

VSS

I/O6

I/O5

VDD

I/O4

A 9

A15

I/O0

A19

A10

A11

A12

A13

A14

VDD

I/O1

I/O2

VSS

I/O3

A18

A17

A16

A15

Pin Descriptions

A0-A19

Address Inputs

I/O0-I/O15

Data Inputs/Outputs

Chip Enable Input(s)

CS# or

CS1#/CS2

OE#

WE#

LB#

Output Enable Input

Write Enable Input

Lower-byte Control

(I/O0-I/O7)

UB#

Upper-byte Control

(I/O8-I/O15)

No Connection

Power

VDD

VSS

Ground

Integrated Silicon Solution, Inc.- www.issi.com

Rev. 0A

12/13/2016

1 234 5 6 7...19

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