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Datasheet > 存储 > SRAM> IS61WV10248BLL-10TLI
IS61WV10248BLL-10TLI PDF预览

IS61WV10248BLL-10TLI

更新时间： 2024-11-20 12:04:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 198K
描述
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61WV10248BLL-10TLI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991
风险等级：1.46最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e3长度：18.415 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.025 A
最小待机电流：1.2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS61WV10248BLL-10TLI 数据手册

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IS61WV10248ALL  
IS61WV10248BLL  
IS64WV10248BLL  
JUNE2008  
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• High-speed access times:  
8, 10, 20 ns  
• High-performance, low-power CMOS process  
• Multiple center power and ground pins for  
greater noise immunity  
• Easy memory expansion with CE and OE  
TheISSIIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLL  
are very high-speed, low power, 1M-word by 8-bit CMOS  
static RAM. The IS61WV10248ALL/BLL and  
IS64WV10248BLLarefabricatedusingISSI'shigh-  
performance CMOS technology. This highly reliable  
process coupled with innovative circuit design tech-  
niques, yields higher performance and low power con-  
sumption devices.  
options  
• CE power-down  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single power supply  
TheIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLL  
operate from a single power supply and all inputs are  
TTL-compatible.  
– VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV10248ALL)  
speed = 20ns for Vcc = 1.65V to 2.2V  
– VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV10248BLL)  
speed = 10ns for Vcc = 2.4V to 3.6V  
speed = 8ns for Vcc = 3.3V + 5%  
• Packages available:  
TheIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLLare  
available in 48 ball mini BGA and 44-pin TSOP (Type II)  
packages.  
–
48-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 44-pin TSOP (Type II)  
• Industrial and Automotive Temperature Support  
• Lead-free available  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1M X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A19  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. B  
06/03/08  
1234567...20

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IS61WV10248BLL-10TLI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS62C10248AL-55TLI ISSI

类似代替

 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61WV10248EDBLL-10BLI ISSI

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 		Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
IS61WV10248EDBLL-10TLI ISSI

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 		Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
IS61WV12816BLL ISSI

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 		128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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