是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | PLASTIC, TSOP-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.97 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61LV6416-15T | ICSI |
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64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY |
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IS61LV6416-15TI | ICSI |
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64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY |
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IS61LV6416-20B | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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IS61LV6416-20BI | ETC |
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x16 SRAM |
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IS61LV6416-20K | ETC |
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x16 SRAM |
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IS61LV6416-20KI | ETC |
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x16 SRAM |
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IS61LV6416-20T | ETC |
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x16 SRAM |
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IS61LV6416-20TI | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP-44 |
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IS61LV6416-8B | ICSI |
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64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY |
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IS61LV6416-8BI | ICSI |
获取价格 |
64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY |
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