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IS61LV12816-10K

更新时间： 2024-01-26 06:21:10

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IS61LV12816-10K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	TTL AND CMOS COMPATIBLE INTERFACE LEVELS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61LV12816

WRITE CYCLE NO. 2⁽¹⁾(WE Controlled. OE is HIGH During Write Cycle)

ADDRESS

VALID ADDRESS

LOW

PWE1

PWB

UB, LB

HZWE

LZWE

HIGH-Z

DATA UNDEFINED

DOUT

DATAIN VALID

DIN

WRITE CYCLE NO. 3(WE Controlled. OE is LOW During Write Cycle)

ADDRESS

VALID ADDRESS

LOW

PWE2

PWB

UB, LB

HZWE

LZWE

HIGH-Z

DATA UNDEFINED

OUT

DATAIN VALID

DIN

Integrated Circuit Solution, Inc.

SR023_0C

1...6 7 8910 11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS61LV12816-10KI	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10KI	ICSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV12816-10LQ	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10LQI	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10T	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10T	ICSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格