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IS49RL36160-107EBLI

更新时间： 2024-02-29 02:11:04

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
113页	6550K
描述
1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)

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IS49RL36160-107EBLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA168,13X13,40
针数：	168	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.23
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	AUTO REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	933 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B168	长度：	13.5 mm
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA168,13X13,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源：	1.35 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.125 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.42 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.28 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.35 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	13.5 mm	Base Number Matches：	1

IS49RL36160-107EBLI 数据手册

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576Mb: x18, x36 RLDRAM 3

Features

RLDRAM 3

IS49RL18320 – 2 Meg x 18 x 16 Banks

IS49RL36160 – 1 Meg x 36 x 16 Banks

Options

Features

• Clock cycle and RC timing

• 1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball data

rate)

• 76.8 Gb/s peak bandwidth (x36 at 1066 MHz clock

frequency)

• Organization

– 32 Meg x 18, and 16 Meg x 36 common I/O (CIO)

– 16 banks

• 1.2V center-terminated push/pull I/O

• 2.5V V_EXT, 1.35V V_DD, 1.2V V_DDQI/O

• Reduced cy cle time ( RC (MIN) = 8 - 12ns)

• SDR addressing

• Programmable READ/WRITE latency (RL/WL) and

burst length

– 0.93ns and RC (MIN) = 8ns

(RL3-2133)

– 0.93ns and RC (MIN) = 10ns

(RL3-2133)

– 1.07ns and RC (MIN) = 8ns

(RL3-1866)

– 1.07ns and ^tRC (MIN) = 10ns

(RL3-1866)

– 1.25ns and RC (MIN) = 10ns

(RL3-1600)

– 1.25ns and ^tRC (MIN) = 12ns

(RL3-1600)

• Configuration

• Data mask for WRITE commands

• Differential input clocks (CK, CK#)

• Free-running differential input data clocks (DKx,

DKx#) and output data clocks (QKx, QKx#)

• On-die DLL generates CK edge-aligned data and

differential output data clock signals

• 64ms refresh (128K refresh per 64ms)

• 168-ball FBGA package

– 32 Meg x 18

– 16 Meg x 36

• Operating temperature

– Commercial (T_C= 0° to +95°C)

– Industrial (T_C= –40°C to +95°C)

• Package

– 168-ball FBGA

– 168-ball FBGA (Pb-free)

• Revision

• 40Ω or 60Ω matched impedance outputs

• Integrated on-die termination (ODT)

• Single or multibank writes

• Extended operating range (200–1066 MHz)

• READ training register

• Multiplexed and non-multiplexed addressing capa-

bilities

• Mirror function

• Output driver and ODT calibration

• JTAG interface (IEEE 1149.1-2001)

specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any

information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification

before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure

or malfunction of the product can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its

safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives

written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

01/17/2012

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IS49RL36160-107EBLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS49RL36160-107BLI	ISSI	类似代替	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-107BL	ISSI	类似代替	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-093BL	ISSI	类似代替	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)

与IS49RL36160-107EBLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS49RL36160-125BL	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-125BLI	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-125EBL	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-125EBLI	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-125FBLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA168, 13.50 X 13.50 MM, 1.25 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-205, FCB
IS4N45	ISOCOM	获取价格	LOW INPUT CURRENT DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY
IS4N45G	ISOCOM	获取价格	Darlington Output Optocoupler, 1-Element, 5300V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-6
IS4N45X	ISOCOM	获取价格	Darlington Output Optocoupler,
IS4N45XG	ISOCOM	获取价格	Darlington Output Optocoupler,
IS4N45XSM	ISOCOM	获取价格	Darlington Output Optocoupler,

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