Datasheet > IS45S16320B-7TLA1

IS45S16320B-7TLA1

更新时间： 2024-11-05 05:39:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
61页	851K
描述
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

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IS45S16320B-7TLA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.52
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	255	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	10.16 mm

IS45S16320B-7TLA1 数据手册

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IS42S86400B

IS42S16320B, IS45S16320B

64M x 8, 32M x 16

512Mb SYNCHRONOUS DRAM

SEPTEMBER 2009

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ

IS42S86400Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ

ꢀ IS42S86400Bꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ

16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀW-BGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

command

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ

(x16ꢀonly)

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial:ꢀ0^oC to +70^oC

Industrial:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA1:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

08/27/09

12 3 4 5 6 7...61

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IS45S16320B-7TLA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16320D-7TL	ISSI	完全替代	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320B-7TL	ISSI	完全替代	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS45S16320B-7TLA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS45S16320B-7TLA1-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS45S16320D	ISSI	获取价格	Internal bank for hiding row access/precharge
IS45S16320D-7BLA1	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS45S16320D-7BLA2	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
IS45S16320D-7CTLA2	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IS45S16320D-7CTLA2-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IS45S16320D-7TLA2	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2-54
IS45S16320F	ISSI	获取价格	8K refresh cycles every 64 ms
IS45S16320F-6BLA1	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54
IS45S16320F-6CTLA1	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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