是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | TFBGA, BGA96,9X16,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.57 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.255 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 96 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA96,9X16,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.014 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.286 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IS43TR16128B-15HBLI-TR | ISSI |
功能相似 |
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS43TR16128B-15HBLI-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128B-15HBL-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128BL | ISSI |
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Programmable CAS Latency | |
IS43TR16128BL-125KBL | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, TWBGA-96 | |
IS43TR16128BL-125KBLI | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128BL-125KBLI-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128BL-125KBL-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |