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IS42S16160-75ETL

更新时间： 2024-02-13 08:07:09

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	888K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54,

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IS42S16160-75ETL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS42S16160-75ETL 数据手册

IS42S16160

16Meg x16

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

SEPTEMBER 2009

FEATURES

OVERVIEW

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42S16160ꢀ

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀ

ꢀ

IS42S16160ꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀTF-BGAꢀ ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

KEY TIMING PARAMETERS

Parameter

-6

-7

-75E Unit

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

ꢀ

operations capability

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

command

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ AvailableꢀinꢀIndustrialꢀꢀTemperature

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀTF-BGA

•ꢀ AvailableꢀinꢀLead-free

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

8ꢀ

5.4ꢀ

8ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

nsꢀ

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

09/15/09

12 3 4 5 6 7...60

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS42S16160-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16160-7TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16160A1-7T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC,
IS42S16160A1-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
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