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IS42S16160-7BL

更新时间： 2024-10-01 18:34:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	919K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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IS42S16160-7BL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.34
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS42S16160-7BL 数据手册

IS42S16160

16Meg x16

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

MAY 2008

FEATURES

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz

OVERVIEW

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42S16160ꢀ

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ

IS42S16160ꢀ

4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPII

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

54-ballꢀBGAꢀ

ꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

KEY TIMING PARAMETERS

Parameter

-6

-7

Unit

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

ꢀ

operations capability

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

166ꢀ

100ꢀ

ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ AvailableꢀinꢀIndustrialꢀꢀTemperature

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀBGA

•ꢀ AvailableꢀinꢀLead-free

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

8ꢀ

5.4ꢀ

8ꢀ

nsꢀ

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. A

05/09/08

12 3 4 5 6 7...60

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与IS42S16160-7BL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16160-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5
IS42S16160-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16160-7TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16160A1-7T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC,
IS42S16160A1-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
IS42S16160A-6T	ISSI	获取价格	256 Mb Synchronous DRAM
IS42S16160A-6TL	ISSI	获取价格	256 Mb Synchronous DRAM
IS42S16160A-7T	ISSI	获取价格	256 Mb Synchronous DRAM
IS42S16160A-7TL	ISSI	获取价格	256 Mb Synchronous DRAM
IS42S16160B	ISSI	获取价格	256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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