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IS42S16128-8T PDF预览

IS42S16128-8T

更新时间： 2024-01-19 19:45:58
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
75页 634K
描述
128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16128-8T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：50
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.85
Is Samacsys：N访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：8 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G50JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：50
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS42S16128-8T 数据手册

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®
IS42S16128  
128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
ISSI  
FEBRUARY2000  
FEATURES  
DESCRIPTION  
ISSI's 4Mb Synchronous DRAM IS42S16128 is organized as  
a 131072-word x 16-bit x 2-bank for improved performance.  
The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer  
usingpipelinearchitecture. Allinputsandoutputssignalsrefer  
to the rising edge of the clock input.  
• Clock frequency: 125 MHz, 100 MHz, 83 MHz  
• Two banks can be operated simultaneously and  
independently  
• Single 3.3V power supply  
• LVTTL interface  
PIN DESCRIPTIONS  
• Programmable burst length  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
A0-A9  
A0-A8  
A9  
Address Input  
• Programmable burst sequence:  
Sequential/Interleave  
Row Address Input  
Bank Select Address  
Column Address Input  
Data I/O  
• Auto refresh, self refresh  
A0-A7  
I/O0 to I/O15  
CLK  
• 1K refresh cycles every 16 ms  
• Random column address every clock cycle  
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)  
System Clock Input  
Clock Enable  
CKE  
• Burst read/write and burst read/single write  
operations capability  
CS  
Chip Select  
RAS  
Row Address Strobe Command  
Column Address Strobe Command  
Write Enable  
• Byte controlled by LDQM and UDQM  
• Package 400-mil 50-pin TSOP II  
CAS  
WE  
PIN CONFIGURATIONS  
50-Pin TSOP (Type II)  
LDQM  
UDQM  
Vcc  
Lower Bye, Input/Output Mask  
Upper Bye, Input/Output Mask  
Power  
VCC  
I/O0  
I/O1  
GNDQ  
I/O2  
I/O3  
VCCQ  
I/O4  
I/O5  
GNDQ  
I/O6  
I/O7  
VCCQ  
LDQM  
WE  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
GND  
I/O15  
I/O14  
GNDQ  
I/O13  
I/O12  
VCCQ  
I/O11  
I/O10  
GNDQ  
I/O9  
2
GND  
VccQ  
GNDQ  
NC  
Ground  
3
4
Power Supply for I/O Pin  
Ground for I/O Pin  
No Connection  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
I/O8  
VCCQ  
NC  
ORDERING INFORMATION  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
Commercial Range: 0⋅C to 70⋅C  
CAS  
RAS  
CS  
Frequency  
Speed (ns) Order Part No.  
Package  
A9  
NC  
125 MHz  
100 MHz  
83 MHz  
8
IS42S16128-8T  
IS42S16128-10T  
IS42S16128-12T  
400-mil TSOP II  
400-mil TSOP II  
400-mil TSOP II  
A8  
NC  
10  
12  
A0  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
VCC  
GND  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. A  
1
03/13/00  
1234567...75

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IS42S16128-8T 替代型号

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