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IS41C44002-50T

更新时间: 2024-01-27 00:10:18
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其他 - ETC 动态存储器
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19页 159K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

IS41C44002-50T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP24/26,.36
针数:24Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IS41C44002-50T 数据手册

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IS41C4400X  
®
IS41LV4400X SERIES  
ISSI  
EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
t
CSH  
t
PC  
t
RSH  
t
CRP  
t
CAS,  
t
CP  
t
CAS,  
t
CP  
t
CAS,  
tCP  
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CLCH  
t
CLCH  
tCLCH  
CAS  
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AR  
tACH  
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RAD  
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RAL  
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ADDRESS  
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Column  
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WCH  
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WP  
t
WP  
t
WP  
WE  
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WCR  
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tRWL  
t
tDS  
tDS  
tDS  
t
DH  
t
DH  
tDH  
I/O  
OE  
Valid Data  
Valid Data  
Valid Data  
Dont Care  
Integrated Silicon Solution, Inc. 1-800-379-4774  
13  
Rev. C  
09/29/00  

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