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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP24/26,.36 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 50 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17.14 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP24/26,.36 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS41C44002-50TI | ISSI | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24 |
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| IS41C44002-60J | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| IS41C44002-60JI | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| IS41C44002-60T | ISSI | EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24 |
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| IS41C44002-60TI | ISSI | EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24 |
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| IS41C44002A | ICSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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