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IS41C44002-50T

更新时间: 2024-01-13 10:59:58
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其他 - ETC 动态存储器
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19页 159K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

IS41C44002-50T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP24/26,.36
针数:24Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IS41C44002-50T 数据手册

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IS41C4400X  
®
IS41LV4400X SERIES  
ISSI  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE (LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)  
tRASP  
tRP  
RAS  
CAS  
(1)  
tPC / tPRWC  
tCSH  
t
RSH  
tCRP  
tRCD  
tCAS,  
tCLCH  
tCP  
tCAS,  
tCLCH  
tCP  
t
CAS,  
tCLCH  
tCP  
tAR  
tASR  
tRAD  
tRAL  
tASC  
tCAH  
tASC  
tCAH  
tASC  
tCAH  
tRAH  
ADDRESS  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
t
RWD  
t
RWL  
CWL  
WP  
tRCS  
t
CWL  
t
CWL  
t
tWP  
t
WP  
t
tAWD  
tAWD  
tAWD  
tCWD  
tCWD  
tCWD  
WE  
tAA  
t
AA  
CPA  
t
AA  
tCPA  
t
t
RAC  
t
DH  
DS  
t
DH  
DS  
t
DH  
tDS  
t
t
t
CAC  
CLZ  
t
t
CAC  
CLZ  
t
t
CAC  
CLZ  
t
Open  
Open  
I/O  
OE  
DOUT  
D
IN  
DOUT  
D
IN  
DOUT  
D
IN  
tOD  
tOD  
t
OD  
tOE  
tOE  
tOE  
tOEH  
Dont Care  
Note:  
1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
measurements must meet the tPC specifications.  
14  
Integrated Silicon Solution, Inc. 1-800-379-4774  
Rev. C  
09/29/00  

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