是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 6 X 8 MM, BGA-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.35 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS32WV10008BLL-70T | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
IS32WV10008BLL-85BI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48 | |
IS32WV10008BLL-85TI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX8, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
IS32WV16100-70B | ISSI |
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SRAM | |
IS32WV16100-70BI | ISSI |
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SRAM | |
IS32WV16100A-70M | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |
IS32WV16100A-70MI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |
IS32WV16100B-70M | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |
IS32WV16100B-70MI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |
IS32WV16200-70BI | ISSI |
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SRAM |