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IS24C02B-3GLA3

更新时间: 2024-11-08 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 452K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, SOIC-8

IS24C02B-3GLA3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.82
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz数据保留时间-最小值:100
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

IS24C02B-3GLA3 数据手册

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IS24C01B IS24C02B  
IS24C01B/02B  
2-WIRE (I2C)  
1K-bit/2K-bit  
SERIAL EEPROM  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. D  
06/27/08  

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