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IS23SC1604-PI

更新时间： 2024-01-12 20:21:13

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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16-KBIT SECURED SERIAL EEPROM

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IS23SC1604-PI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	其他特性：	1000000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：	0.3 MHz	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.3218 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	串行总线类型：	3-WIRE
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS23SC1604-PI 数据手册

IS23SC1604

ISSI

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings⁽¹⁾

Symbol

Vcc

Parameter

Min.

–0.3

–40

—

Max.

Unit

Supply Voltage

VI / VO

TSTG

PMAX

Input/OutputVoltage

StorageTemperature

Power Dissipation

125

°C

Note:

1. Stress greater than those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.

This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those

indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions

for extended periods may affect reliability.

Operating Range

Range

AmbientTemperature

0 to +70°C

Vcc

Commercial

Industrial

–40 to +85°C

Capacitance ^(1,2)

Symbol

Parameter

Conditions

VIN = 0V

Max.

Unit

CIN

Input Capacitance

Output Capacitance

COUT

VOUT = 0V

Notes:

1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

2. Test conditions: ^TA= 25°C, Vcc = 5.0V + 10%; GND = 0V, f = 1 MHz.

DC Electrical Characteristics⁽¹⁾(TA = 0°C to 70°C, Vcc = 5.0 + 10%, GND = 0V )

Symbol

Vcc

Parameter

Test Conditions

Min.

5.0

—

Typ.

5.5

—

Max.

Unit

SupplyVoltage

4.5

ICC

SupplyRead/CompareCurrent

TA = 25°C,

3.0

FCLK = 300 KHz

ICCP

Supply Write/Erase Current

Standby Supply Current

TA = 25°C

TA = 25°C,

—

4.0

µA

ICCSB

15.0

RST = 5V;FUS, CLK, PGM = 0V, IIO = 0 mA

VIL

VIH

VOL

ILI

Input Low Level

–0.3

2.0

—

0.8

Vcc + 0.3

0.4

Input High Level

—

Output Low Level

Input Leakage Current

I/O Leakage Current

IOL = 1 mA

—

µA

ILH

VOH = 5V Open Drain

—

Note:

1. There is a internal pull-up on pin RST. There are internal pull-downs on pins FUS, CLK, and PGM

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

ADVANCEINFORMATION Rev. 00E

04/10/03

1...3 4 567 8 9...18

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