IRLI630A

更新时间： 2024-11-18 22:23:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页	227K
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ADVANCED POWER MOSFET

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IRLI630A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	54 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	69 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLI630A 数据手册

IRLW/I630A

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 0.4Ω

I_D= 9 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

D²-PAK

I²-PAK

150 C Operating Temperature

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 200V

Lower R_DS(ON): 0.335 (Typ.)

Ω

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

5.7

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

6.9

V/ns

Total Power Dissipation (T_A=25°C)

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

3.1

P_D

0.55

W/°C

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

°C

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

1.81

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

62.5

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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与IRLI630A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLI630ATU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLI630G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLI630G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
IRLI630G-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-003PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-004PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-005	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-005PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-006	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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