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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL630SR | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL630STRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL630STRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL630STRR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL630STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL631 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL6342PBF | INFINEON |
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Battery operated DC motor inverter MOSFET |
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| IRL6342TRPBF | INFINEON |
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Battery operated DC motor inverter MOSFET |
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| IRL6372 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRL6372PBF | INFINEON |
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Battery operated DC motor inverter MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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