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IRHM57264SEUPBF

更新时间： 2024-11-24 19:20:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 250V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRHM57264SEUPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM57264SEUPBF 数据手册

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PD - 93798A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254)  
IRHM57264SE  
250V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57264SE 100K Rads (Si) 0.066Ω 35A*  
TO-254  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Neutron Tolerant  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
of low R  
and low gate charge reduces the power  
DS(on)  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Electically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
26  
140  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
2.0  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in.(1.6 mm from case for 10s))  
9.3 ( Typical)  
* Current is limited by internal wire diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
3/2/00  
12345678

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