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IRHM58064UPBF

更新时间： 2024-11-24 13:08:51
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IRHM58064UPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM58064UPBF 数据手册

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ꢁ
PD - 93792D  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM57064  
60V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57064  
IRHM53064  
IRHM54064  
IRHM58064  
100K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
300K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
600K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
1000K Rads (Si) 0.013Ω 35A*  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Hermatically Sealed  
Electically Isolated  
n
n
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
GS  
C
A
I
D
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
140  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
208  
W
W/°C  
V
D
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
1090  
35  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
4.8  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6 mm from case for10s )  
9.3 (Typical )  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
07/19/04  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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