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IRHM58260

更新时间： 2024-11-26 22:24:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 120K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

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IRHM58260 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.049 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHM58260 数据手册

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PD - 91862D  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM57260  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57260  
IRHM53260  
IRHM54260  
IRHM58260  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.049Ω 35A*  
0.049Ω 35A*  
0.049Ω 35A*  
1000K Rads (Si) 0.050Ω 35A*  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
Features:  
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Neutron Tolerant  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination n Repetitive Avalanche Ratings  
of low R  
and low gate charge reduces the power n Dynamic dv/dt Ratings  
DS(on)  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermatically Sealed  
Electically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
32  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
140  
250  
2.0  
±20  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
W
W/°C  
V
C
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
35  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
10  
T
-55 to 150  
J
oC  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
g
* Current is limited by internal wire diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/30/03  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM58260D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM58260DPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM58260PBF INFINEON

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