IRHE93130

更新时间： 2024-01-15 07:57:56

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
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描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)

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IRHE93130 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N15
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHE93130 数据手册

Pre-Irradiation

IRHE9130

D S

400

300

200

100

TOP

-2.9A

-4.1A

D .U .T

D D

BOTTOM -6.5A

A S

D R IV ER

-20V

V_GS

0.0 1

Ω

15V

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

100

125

150

Starting T , Junction Temperature ( C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. DrainCurrent

(BR)DSS

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

-12V

12V

.3µF

-12V

D.U.T.

-3mA

Charge

Current Sampling Resistors

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

www.irf.com

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