IRHF53Z30

更新时间： 2024-01-05 08:22:32

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描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)

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IRHF53Z30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHF53Z30 数据手册

ꢁ

PD - 93793E

IRHF57Z30

JANSR2N7491T2

30V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-39)

^{REF: MIL}5^{-PRF-19500/701}

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

QPL Part Number

IRHF57Z30

IRHF53Z30

IRHF54Z30

100K Rads (Si) 0.045Ω 12A* JANSR2N7491T2

300K Rads (Si) 0.045Ω 12A* JANSF2N7491T2

500K Rads (Si) 0.045Ω 12A* JANSG2N7491T2

IRHF58Z30 1000K Rads (Si) 0.056Ω 12A* JANSH2N7491T2

TO-39

International Rectifier’s R5^TMtechnology provides

high performance power MOSFETs for space

applications. These devices have been characterized

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Ultra Low RDS(on)

Identical Pre and Post Electrical Test Conditions

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Ratings

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

for Single Event Effects (SEE) with useful performance

up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm²)). The combination

of low RDS(on) and low gate charge reduces the power

losses in switching applications such as DC to DC

converters and motor control. These devices retain

all of the well established advantages of MOSFETs

such as voltage control, fast switching, ease of

paralleling and temperature stability of electrical

parameters.

Electrically Isolated

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

12*

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

@ T = 25°C

W/°C

0.2

±20

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

520

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

2.5

V/ns

dv/dt

3.0

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

Lead Temperature

Weight

300 ( 0.063 in./1.6mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

04/25/06

12 3 4 5 6 7 8

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与IRHF53Z30相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHF54034	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF54034PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHF54130	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF54130PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IRHF54230	INFINEON	RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF54230PBF	INFINEON	暂无描述	获取价格

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