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IRH93250

更新时间： 2024-02-24 12:37:20

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-200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-204AE package

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IRH93250 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-CBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRH93250 数据手册

PD - 91392C

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (T0-204AE)

IRH9250

200V, P-CHANNEL

RAD Hard^™HEXFET^®TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRH9250

IRH93250

100K Rads (Si) 0.315Ω -14A

300K Rads (Si) 0.315Ω -14A

International Rectifier’s RADHard HEXFET^®technol-

ogy provides high performance power MOSFETs for

space applications. This technology has over a de-

cade of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been character-

ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).

The combination of low Rdson and low gate charge

reduces the power losses in switching applications

such as DC to DC converters and motor control. These

devices retain all of the well established advantages

of MOSFETs such as voltage control, fast switching,

ease of paralleling and temperature stability of elec-

trical parameters.

TO-204AE

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current

-14

= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current

-9.0

-56

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

150

W/°C

1.2

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

500

-14

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

-41

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

11.5 (Typical )

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

2/18/03

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IRHA8260	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 43A I(D) \| SMT	获取价格
IRHC7110	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| CHIP	获取价格
IRHC7130	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S	获取价格
IRHC7150	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide	获取价格
IRHC7230	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格

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