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IRHC7230

更新时间: 2024-01-15 19:45:13
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRHC7230 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUUC-N2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):225极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRHC7230 数据手册

  

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