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IRHD320CW40

更新时间： 2024-02-20 18:34:33

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6页	224K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 410A, 400V V(RRM), Silicon, TO-244AB, LEAD FREE, TO-244, 2 PIN

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IRHD320CW40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-XUFM-X2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-244	JESD-30 代码：	R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：	1200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	321 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	625 W
最大反向恢复时间：	0.14 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRHD320CW40 数据手册

Bulletin PD-20037 04/05

IRHD320CW40

Ultrafast, Soft Recovery Diode

HEXFRED ^TM

LUG

Features

V_R= 400V

V_F(typ.)e = 1V

I_F(AV)= 320A

Q_rr(typ.) = 420nC

I_RRM(typ.)= 8.7A

t_rr(typ.) = 45ns

TERMINAL

ANODE 1

TERMINAL

ANODE 2

• Reduced RFI and EMI

• Reduced Snubbing

• Extensive Characterization of

Recovery Parameters

di_(rec)M/dt (typ.)e = 280A/µs

BASE COMMON CATHODE

Description/ Applications

HEXFRED^TMdiodes are optimized to reduce losses and EMI/ RFI in high frequency power conditioning systems. An

extensive characterization of the recovery behavior for different values of current, temperature and di/dt simplifies

the calculations of losses in the operating conditions. The softness of the recovery eliminates the need for a snubber

in most applications. These devices are ideally suited for power converters, motors drives and other applications

where switching losses are significant portion of the total losses.

Absolute Maximum Ratings

Parameters

Cathode-to-Anode Voltage

Max

400

Units

V_R

I_F@ T_C= 25°C

Continuous Forward Current

321

I_F@ T_C= 100°C Continuous Forward Current

160

I_FSM

E_AS

Single Pulse Forward Current c

Non-Repetitive Avalanche Energy d

1200

1.4

625

P_D@ T_C= 25°C Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

250

T_J, T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

Case Styles

IRHD320CW40

TO-244

Limited by junction temperature

L = 100µH, duty cycle limited by max T

125°C

www.irf.com

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与IRHD320CW40相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHD320CW40PBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 321A, Silicon, TO-244, TO-244, 2 PIN	获取价格
IRHE120	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| LLCC	获取价格
IRHE130	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| LLCC	获取价格
IRHE3110	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRHE3110PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRHE3110SCS	INFINEON	Rad hard, 100V, 3.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC,	获取价格