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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHC7230 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRHC7450 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRHD320CW40 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 410A, 400V V(RRM), Silicon, TO-244AB, LEAD FREE, TO-2 |
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| IRHD320CW40PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 321A, Silicon, TO-244, TO-244, 2 PIN |
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| IRHE120 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | LLCC |
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| IRHE130 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | LLCC |
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| IRHE3110 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHE3110PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHE3110SCS | INFINEON |
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Rad hard, 100V, 3.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC, |
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| IRHE3130 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
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