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IRFR3709ZTRL

更新时间： 2024-02-05 12:26:03

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	265K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR3709ZTRL 数据手册

IRFR/U3709ZPbF

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

Limited By Package

= 250µA

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

100

125

150

175

T , Temperature ( °C )

, Case Temperature (°C)

Fig 9. Maximum Drain Current vs.

Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature

Case Temperature

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

R₁

R₂

R₃

Ri (°C/W) τi (sec)

0.1

0.01

^Jτ_J

0.810

0.640

0.451

0.000260

0.001697

0.021259

^Cτ

0.02

0.01

¹τ₁

²τ₂

³τ₃

Ci= τi/Ri

SINGLE PULSE

( THERMAL RESPONSE )

Notes:

1. Duty Factor D = t1/t2

2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

, Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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