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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR3710ZTR
IRFR3710ZTR PDF预览

IRFR3710ZTR

更新时间： 2024-11-27 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 215K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK, 3 PIN

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PD - 94740  
IRFR3710Z  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU3710Z  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 100V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
RDS(on) = 18mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR3710Z  
I-Pak  
IRFU3710Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
56  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
39  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
220  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.95  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
150  
200  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
7/31/03  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR3710ZTRL KERSEMI

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFR3710ZTRLPBF INFINEON

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 		HEXFET® Power MOSFET
IRFR3710ZTRPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRFR3710ZTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id
IRFR3711 FREESCALE

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 		HEXFETPower MOSFET
IRFR3711PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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