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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 122 ns | 最大开启时间（吨）： | 98 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP241 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP2410 | INFINEON |
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Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniq |
|
| IRFP241CF | NSC |
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IRFP241CF |
|
| IRFP241R | RENESAS |
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20A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| IRFP242 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFP242R | RENESAS |
获取价格 |
18A, 200V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
| IRFP243 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP243R | RENESAS |
获取价格 |
18A, 150V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
| IRFP244 | INTERSIL |
获取价格 |
15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFP244 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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