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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP240PBF
IRFP240PBF PDF预览

IRFP240PBF

更新时间： 2024-11-29 11:09:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1603K
描述
Power MOSFET

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IRFP240PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.78
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：186805Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO247ACSamacsys Released Date：2017-04-24 10:31:30
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：510 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP240PBF 数据手册

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IRFP240, SiHFP240  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.18  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
70  
13  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
39  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP240PbF  
SiHFP240-E3  
IRFP240  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP240  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
200  
V
20  
T
C = 25 °C  
20  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
12  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
80  
Linear Derating Factor  
1.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
510  
20  
EAR  
15  
150  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 1.9 mH, RG = 25 Ω, IAS = 20 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 18 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91210  
S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRFP240PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP240R RENESAS

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 		20A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
IRFP241 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AC
IRFP2410 INFINEON

获取价格

 		Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniq
IRFP241CF NSC

获取价格

 		IRFP241CF
IRFP241R RENESAS

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 		20A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
IRFP242 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP242R RENESAS

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 		18A, 200V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
IRFP243 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247AC
IRFP243R RENESAS

获取价格

 		18A, 150V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
IRFP244 INTERSIL

获取价格

 		15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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