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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 71 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.071 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIZ24E-112 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ24E-112PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ24EPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFIZ24G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFIZ24G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIZ24G | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFIZ24G_09 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIZ24G-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFIZ24G-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFIZ24G-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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