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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIZ24G-019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFIZ24G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFIZ24G-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFIZ24G-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFIZ24GPBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFIZ24GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIZ24GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFIZ24N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=14A) |
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| IRFIZ24N | KERSEMI |
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Advanced Process Technology |
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| IRFIZ24N-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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