5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 71 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.071 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIZ24E-017 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-018 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-018PBF | INFINEON |
获取价格 |
14A, 60V, 0.071ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| IRFIZ24E-019PBF | INFINEON |
获取价格 |
14A, 60V, 0.071ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| IRFIZ24E-024PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-029 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-030PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFIZ24E-031 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
