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IRFIZ24E-101PBF

更新时间: 2024-12-01 07:24:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 278K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFIZ24E-101PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.56
其他特性:HIGH RELIABILITY雪崩能效等级(Eas):71 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.071 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):68 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFIZ24E-101PBF 数据手册

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