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IRFHS9351TRPBF

更新时间： 2024-01-14 07:53:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 293K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6

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IRFHS9351TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.15其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.1 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFHS9351TRPBF 数据手册

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IRFHS9351PbF  
100  
10  
1
100  
10  
1
VGS  
VGS  
-10V  
TOP  
-10V  
TOP  
-8.0V  
-5.0V  
-4.5V  
-3.5V  
-3.3V  
-3.0V  
-2.8V  
-8.0V  
-5.0V  
-4.5V  
-3.5V  
-3.3V  
-3.0V  
-2.8V  
BOTTOM  
BOTTOM  
-2.8V  
-2.8V  
60μs  
≤
PULSE WIDTH  
Tj = 150°C  
≤60μs PULSE WIDTH  
Tj = 25°C  
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
-V , Drain-to-Source Voltage (V)  
-V , Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
100  
1.6  
I
= -3.1A  
D
V
= -10V  
GS  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
10  
1
T
= 150°C  
T
J
= 25°C  
V
J
= -15V  
DS  
60μs PULSE WIDTH  
≤
0.1  
1
2
3
4
5
6
7
8
-60 -40 -20  
T
0
20 40 60 80 100120 140 160  
, Junction Temperature (°C)  
-V , Gate-to-Source Voltage (V)  
GS  
J
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature  
14  
1000  
100  
10  
V
C
= 0V,  
f = 1 KHZ  
GS  
I
= -3.1A  
V
V
= -24V  
= -15V  
D
= C + C , C SHORTED  
DS  
DS  
iss  
gs  
gd ds  
12  
10  
8
C
= C  
rss  
gd  
C
= C + C  
oss  
ds  
gd  
C
iss  
C
6
oss  
C
rss  
4
2
0
0
1
2
3
4
5
1
10  
100  
Q
, Total Gate Charge (nC)  
-V , Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
G
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage  
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage  
3
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
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Ma2y1, 2014  
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IRFHS9351TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI064 INFINEON

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)
IRFI064D ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-259VAR
IRFI064PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI064U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-259VAR
IRFI064UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI1010 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
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 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-004 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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