Datasheet > IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF

更新时间： 2024-01-06 18:12:18

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	293K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFHS9351TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.15	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHS9351TRPBF 数据手册

IRFHS9351PbF

Qualification information^†

Industrial^††

(per JEDEC JESD47F ^†††guidelines )

Qualification level

MS L 1

Moisture Sensitivity Level

RoHS compliant

PQFN 2mm x 2mm

(per I PC/JE DE C J-S T D-020D^†††

Yes

)

Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site

http://www.irf.com/product-info/reliability

Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements.

Please contact your International Rectifier sales representative for further information:

http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/

Applicable version of JEDEC standard at the time of product release.

Revision History

Date

Comment

•

Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259)

5/13/2014

5/21/2014

• Updated data sheet based on corporate template.

•

Updated qual level from "Consumer" to "Industrial" on page 1 & 9.

IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA

To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/

Submit Datasheet Feedback

Ma2y1, 2014

1...6 7 89

中文翻译

下载PDF

IRFHS9351TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8313TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET
IRF8313PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRFHS9351TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI064	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)
IRFI064D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-259VAR
IRFI064PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI064U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-259VAR
IRFI064UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI1010	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
IRFI1010G	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRFHS9351TRPBF相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

11
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

14
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

8
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF 技术参数

IRFHS9351TRPBF 数据手册

IRFHS9351TRPBF 替代型号

与IRFHS9351TRPBF相关器件

与IRFHS9351TRPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF 技术参数

IRFHS9351TRPBF 数据手册

IRFHS9351TRPBF 替代型号

与IRFHS9351TRPBF相关器件

与IRFHS9351TRPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？