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IRFHS9351TRPBF

更新时间： 2024-01-05 09:32:36

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	293K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6

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IRFHS9351TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.15	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHS9351TRPBF 数据手册

IRFHS9351PbF

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Conditions

V_GS= 0V, I_D= -250μA

Parameter

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Min.

Typ.

–––

0.02

135

235

-1.8

-4.6

–––

1.9

3.7

0.6

1.1

Max.

–––

170

290

-2.4

–––

-1.0

-150

-100

100

–––

Units

BV_DSS

-30

–––

-1.3

–––

2.4

Reference to 25°C, I_D= -1mA

V_GS= -10V, I_D= -3.1A

V_DSS/ T_J

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

V/°C

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

V_GS= -4.5V, I_D= -2.5A

V_GS(th)

I_DSS

Gate Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= -10μA

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

mV/°C

V_DS= -24V, V_GS= 0V

V_DS= -24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

V_GS= -20V

μA

I_GSS

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

_GS= 20V

V_DS= -10V, I_D= -3.1A

gfs

Q_g

–––

V_DS= -15V,V_GS= -4.5V,I_D= - 3.1A

Q_g

_GS= -10V

V_DS= -15V

_D= -3.1A

Total Gate Charge

Q_gs

Q_gd

R_G

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

Gate R esistance

V_DD= -15V, V_GS= -4.5V

I_D= -3.1A

Turn-On Delay Time

Rise Time

8.3

t_d(off)

t_f

R_G= 1.8

Turn-Off Delay Time

Fall Time

6.3

7.9

160

See Figs. 19a & 19b

C_iss

C_oss

C_rss

V_GS= 0V

Input Capacitance

V_DS= -25V

ƒ = 1.0KHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Diode Characteristics

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

I_S

Continuous Source Current

MOSFET symbol

–––

-5.1

showing the

(Body Diode)

I_SM

integral reverse

p-n junction diode.

Pulsed Source Current

(Body Diode)

–––

-20

V_SD

Diode Forward Voltage

-1.2

= 25°C, I = -3.1A, V

= 0V

t_rr

= 25°C, I = -3.1A, V_DD= -15V

Reverse Recovery Time

–––

Q_rr

di/dt = 370/μs

Reverse Recovery Charge

Thermal Resistance

Typ.

–––

Max.

Parameter

Units

Junction-to-Case

_JC(Bottom)

_JC(Top)

Junction-to-Case

170

°C/W

Junction-to-Ambient

Junction-to-Ambient (t<10s)

–––

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.

Current limited by package. .

Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.

When mounted on 1 inch square copper board.

ꢀ R_θis measured at T_Jof approximately 90°C.

For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.

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Ma2y1, 2014

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IRFHS9351TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8313TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET
IRF8313PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRFHS9351TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI064	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)
IRFI064D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-259VAR
IRFI064PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI064U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-259VAR
IRFI064UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI1010	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
IRFI1010G	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFI1010G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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